Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant – Drain continu (Id) à 25°C 150A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,7 mOhms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 153nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 12000pF à 50V
Puissance max. 375W
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
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