IR2117 Driver MOSFET et IGBT
IR2117 Driver MOSFET et IGBT
Description produit
IR2117 Driver MOSFET et IGBT
Nombre de circuits d’attaque 1
Type de grille IGBT, MOSFET à canal N
Alimentation en tension 10 V ~ 20 V
Tension logique – VIL, VIH 6 V, 9,5 V
Courant – Sortie de crête (source, réception) 250 mA, 500 mA
Type d’entrée Sans inversion
Côté haut potentiel – max (amorce) 600V
Temps de montée / descente (typ.) 80 ns, 40 ns
Température d’utilisation -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 8-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 8-PDIP
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Toshiba ULN2803 réseau de (octuple) 8 transistor NPN Darlington pour commande de puissance.
Ce circuit intégré comporte huit transistors NPN Darlington réunis dans un même boîtier à 18 broches.
12,00 Dh HT
En stock
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