IR2117 Driver MOSFET et IGBT

Description

IR2117 Driver MOSFET et IGBT

• Nombre de circuits d’attaque 1
• Type de grille IGBT, MOSFET à canal N
• Alimentation en tension 10 V ~ 20 V
• Tension logique – VIL, VIH 6 V, 9,5 V
• Courant – Sortie de crête (source, réception) 250 mA, 500 mA
• Type d’entrée Sans inversion
• Côté haut potentiel – max (amorce) 600V
• Temps de montée / descente (typ.) 80 ns, 40 ns
• Température d’utilisation -40 °C ~ 150 °C (TJ)
• Type de montage Trou traversant
• Boîtier 8-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
• Boîtier fournisseur 8-PDIP