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IR2117 Driver MOSFET et IGBT

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Description

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IR2117 Driver MOSFET et IGBT

  • Nombre de circuits d’attaque 1
  • Type de grille IGBT, MOSFET à canal N
  • Alimentation en tension 10 V ~ 20 V
  • Tension logique – VIL, VIH 6 V, 9,5 V
  • Courant – Sortie de crête (source, réception) 250 mA, 500 mA
  • Type d’entrée Sans inversion
  • Côté haut potentiel – max (amorce) 600V
  • Temps de montée / descente (typ.) 80 ns, 40 ns
  • Température d’utilisation -40 °C ~ 150 °C (TJ)
  • Type de montage Trou traversant
  • Boîtier 8-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
  • Boîtier fournisseur 8-PDIP
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