Description
IR2117 Driver MOSFET et IGBT
- Nombre de circuits d’attaque 1
- Type de grille IGBT, MOSFET à canal N
- Alimentation en tension 10 V ~ 20 V
- Tension logique – VIL, VIH 6 V, 9,5 V
- Courant – Sortie de crête (source, réception) 250 mA, 500 mA
- Type d’entrée Sans inversion
- Côté haut potentiel – max (amorce) 600V
- Temps de montée / descente (typ.) 80 ns, 40 ns
- Température d’utilisation -40 °C ~ 150 °C (TJ)
- Type de montage Trou traversant
- Boîtier 8-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
- Boîtier fournisseur 8-PDIP
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