Transistor MOSFET IRF520N
Transistor MOSFET IRF520N
Description produit
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant – Drain continu (Id) à 25°C 9,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10 V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 5,7 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25nC @ 10V
Vgs (max.) ±20 V
Capacité d’entrée (Ciss) (max.) à Vds 330pF @ 25V
Fonction FET –
Dissipation de puissance (max) 48 W (Tc)
Température d’utilisation -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
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Transistor BC557 b NPN, Le transistor BC557 est un petit transistor PNP idéal pour toutes sortes de montages électroniques.
Le transistor BC557 appartient à une gamme qui contient aussi :
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560Les complémentaires sont des transistor NPN qui sont respectivement :
BC546, BC547, BC548, BC549, BC550Les principales applications de ces transistors sont en amplification (mode linéaire) et en commutation (mode tout ou rien).
Brochage du transistor BC557
Si on place le transistor BC557 la partie plate face à nous, les pattes vers le bas, l’ordre est, de gauche à droite :
collecteur – base – émetteur
20,00 Dh HT
En stock
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