2n3819 Transistors JFET RF
Catégorie du produit: Transistors JFET RF
RoHS: Détails
Type de transistor: JFET
Technologie: Si
Polarité du transistor: N-Channel
Vds – Tension de rupture drain-source: 25 V
Vgs – Tension de rupture grille-source: 25 V
Id – Courant continu de fuite: 20 mA
Pd – Dissipation d’énergie : 360 mW
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-92-3
Conditionnement: Bulk
Configuration: Single
Produit: RF JFET
Série: 2N3819
Type: JFET
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