2n3819 Transistors JFET RF

Description

2n3819 Transistors JFET RF:

Caractéristique:

• Catégorie du produit: Transistors JFET RF
• RoHS: Détails
• Type de transistor: JFET
• Technologie: Si
• Polarité du transistor: N-Channel
• Vds – Tension de rupture drain-source: 25 V
• Vgs – Tension de rupture grille-source: 25 V
• Id – Courant continu de fuite: 20 mA
• Pd – Dissipation d’énergie : 360 mW
• Style de montage: Through Hole
• Package/Boîte: TO-92-3
• Package/Boîte: TO-92-3
• Conditionnement: Bulk
• Configuration: Single
• Produit: RF JFET
• Série: 2N3819
• Type: JFET