BF245C Transistor à effet de champ Canal N

BF245C Transistor à effet de champ en silicium à Canal N

Le transistor à effet de champ en silicium BF245C à Canal N est un composant électronique essentiel pour de nombreuses applications en électronique. Ce transistor est particulièrement apprécié pour ses performances stables et sa capacité à gérer des courants faibles et moyens. Il est souvent utilisé dans les projets de bricolage, les prototypes électroniques et les dispositifs RF.

Caractéristiques techniques du BF245C

Voici les spécifications techniques principales du BF245C transistor à effet de champ en silicium :

• Type de transistor : Canal N
• Tension maximale de drain-source (V_DS) : 30 V
• Courant drain (I_Dmax) : 25 mA
• Dissipation de puissance (P_D) : 350 mW
• Température de jonction (T_j max) : 150 °C
• Boîtier : TO-92

Fonctions principales du BF245C

Le BF245C remplit plusieurs fonctions essentielles dans les circuits électroniques :

• Amplification de signal : Utilisé pour amplifier les signaux RF ou audio.
• Commutation : Idéal pour les applications de commutation dans les circuits électroniques.
• Filtrage : Utilisé dans les circuits de filtrage RF pour améliorer la qualité des signaux.

Cas d’utilisation du BF245C

Le transistor à effet de champ BF245C est utilisé dans de nombreux projets et applications :

• Radios AM/FM et équipements de communication RF.
• Circuits d’amplification pour instruments de musique électriques.
• Prototypes et projets de développement électronique.