Le transistor MOSFET IRF520N est un dispositif électronique a une tension de la source de vidange Vds environ 100 V avec un courant de décharge continue de 9.7A , sa résistance Rds=0.20hm , ce transistor fonctionne avec une température max 175 ° C qu'il faut pas la dépasser car en risque à bruler le composant.
Transistor MosFet N IRFB4310Z est un dispositif électronique fonctionne avec une tension de commande Vgs de 20V et une tension Vds de 100V, avec une résistance entre drain-source de 4.8 mOhms.