IRFP260 Transistor MOSFET, Canal-N, 50A 200V

Description

Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 50 A
Tension Drain Source maximum 200 V
Résistance Drain Source maximum 0,04 Ω
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Tension Grille Source maximum ±20 V
Type de boîtier TO-247AC
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Mode canal Enrichissement
Catégorie MOSFET de puissance
Dissipation de puissance maximum 300000 mW
Configuration Simple
Nombre d’éléments par circuit 1
Hauteur 20.3mm
Température d’utilisation maximum +175 °C
Retard au blocage typique 55 ns
Capacitance d’entrée typique @ Vds 4057 pF @ 25 V
Charge de Grille type @ Vgs 234 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 15.9mm
Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.3mm
Largeur 5.3mm
Retard à la conduction typique 17 ns