Transistor MosFet N IRFB4310Z TO220

30,00 DH

Transistor MosFet N IRFB4310Z  est un dispositif électronique fonctionne avec une tension de commande Vgs de 20V et une tension Vds  de 100V, avec une résistance entre drain-source de 4.8 mOhms.

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UGS : P8C2_19 Catégorie :
Description

Transistor MosFet N IRFB4310Z TO220

Description

Le transistor MosFet N IRFB4310Z est un composant électronique commandable en tension , sa tension de grille-source est 20V avec une petite résistance de 4.8mOhms disponible sur le boitier TO-220-3.

Caractéristique

  • Package/Boîte: TO-220-3
  • Nombre de canaux: 1 Channel
  • Polarité du transistor: N-Channel
  • Vds – Tension de rupture drain-source: 100 V
  • Id – Courant continu de fuite: 127 A
  • Rds On – Résistance drain-source: 4.8 mOhms
  • Vgs – Tension grille-source: 20 V
  • Qg – Charge de grille: 120 nC
  • Pd – Dissipation d’énergie : 250 W
  • Hauteur: 15.65 mm
  • Longueur: 10 mm
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