2N2219 Transistor NPN 30V 800mA
2N2219 est un transistor bipolaire NPN au silicium utiliser dans les applications de commutation et d’amplification. Il peut supporter jusqu’à 0,8 A de courant collecteur et une tension collecteur-émetteur de 40 V, dans un boîtier métallique TO-39 . Ce transistor fonctionne sur une large plage de température (–65 °C à +200 °C).
Caractéristiques principales
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Transistor NPN au silicium (boîtier TO-39) – Dispositif bipolaire pour signaux faibles à usage général.
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Fort courant – Jusqu’à 0,8 A de courant collecteur en continu.
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Tensions nominales – V_CEO = 30 V ; V_CBO = 60 V ; V_EBO = 5 V
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Gain en courant continu élevé – h_FE ≈ 100–300 à I_C = 150 mA, V_CE = 10 V.
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Commutation rapide – Fréquence de transition f_T ≈ 250 MHz (typique).
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Faible saturation – V_CE(sat) ≈ 0,3–0,4 V à I_C = 150 mA, I_B = 15 mA.
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Très faible courant de fuite – I_CBO ≈ 10 nA (à V_CE = 50 V).
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Dissipation de puissance – 0,8 W en air libre.
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Large plage thermique – Température de jonction de –65 °C à +200 °C
Spécifications techniques
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Type de transistor : NPN au silicium
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Tension de claquage collecteur-émetteur (V_CEO) : 30 V
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Tension de claquage collecteur-base (V_CBO) : 60 V
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Tension de claquage émetteur-base (V_EBO) : 5 V
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Courant collecteur max (I_C) : 0,8 A en continu
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Gain en courant continu (h_FE) : 100–300 à I_C = 150 mA, V_CE = 10 V
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Courant de coupure : I_CBO ≈ 10 nA à V_CB = 50 V
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Tension de saturation V_CE(sat) : ≈ 0,4 V à I_C = 150 mA, I_B = 15 mA
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Fréquence de transition (f_T) : ≈ 250 MHz
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Température de fonctionnement : –65 °C à +200 °C (T_J)
Les applications du Transistor 2N2219 NPN 30V 800mA
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Commutation de charges : Commande de relais, bobines et solénoïdes
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Pilotes de voyants : Circuits de commande LED et afficheurs
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Amplification audio / signal : Préamplificateurs et amplificateurs basse puissance
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Montage en Darlington : Couples de transistors pour gain accru
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Commutation générale : Circuits analogiques et numériques à haute vitesse