2N2219 Transistor NPN 30V 800mA

18,00 DH

2N2219 est un transistor bipolaire NPN (BJT) à usage général, Il sert à des applications de commutation et d’amplification à faible ou moyenne puissance. Il est caractérisé par une tension collecteur-émetteur maximale de 30 V, un courant collecteur pouvant atteindre 800 mA, ainsi qu’une dissipation de puissance de 800 mW (avec dissipation thermique appropriée). Le 2N2219 est utilisé  pour les traitements de signaux, les amplificateurs audio et les circuits de commande industriels.

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UGS : TR-7_00 Catégorie :
Description

2N2219 Transistor NPN 30V 800mA

2N2219 est un transistor bipolaire NPN au silicium utiliser dans les applications de commutation et d’amplification. Il peut supporter jusqu’à 0,8 A de courant collecteur et une tension collecteur-émetteur de 40 V, dans un boîtier métallique TO-39 . Ce transistor fonctionne sur une large plage de température (–65 °C à +200 °C).

Caractéristiques principales

  • Transistor NPN au silicium (boîtier TO-39) – Dispositif bipolaire pour signaux faibles à usage général.

  • Fort courant – Jusqu’à 0,8 A de courant collecteur en continu.

  • Tensions nominales – V_CEO = 30 V ;  V_CBO = 60 V ; V_EBO = 5 V

  • Gain en courant continu élevé – h_FE ≈ 100–300 à I_C = 150 mA, V_CE = 10 V.

  • Commutation rapide – Fréquence de transition f_T ≈ 250 MHz (typique).

  • Faible saturation – V_CE(sat) ≈ 0,3–0,4 V à I_C = 150 mA, I_B = 15 mA.

  • Très faible courant de fuite – I_CBO ≈ 10 nA (à V_CE = 50 V).

  • Dissipation de puissance – 0,8 W en air libre.

  • Large plage thermique – Température de jonction de –65 °C à +200 °C

Spécifications techniques

  • Type de transistor : NPN au silicium

  • Tension de claquage collecteur-émetteur (V_CEO) : 30 V

  • Tension de claquage collecteur-base (V_CBO) : 60 V

  • Tension de claquage émetteur-base (V_EBO) : 5 V

  • Courant collecteur max (I_C) : 0,8 A en continu

  • Gain en courant continu (h_FE) : 100–300 à I_C = 150 mA, V_CE = 10 V

  • Courant de coupure : I_CBO ≈ 10 nA à V_CB = 50 V

  • Tension de saturation V_CE(sat) : ≈ 0,4 V à I_C = 150 mA, I_B = 15 mA

  • Fréquence de transition (f_T) : ≈ 250 MHz

  • Température de fonctionnement : –65 °C à +200 °C (T_J)

Les applications du Transistor 2N2219 NPN 30V 800mA

  • Commutation de charges : Commande de relais, bobines et solénoïdes

  • Pilotes de voyants : Circuits de commande LED et afficheurs

  • Amplification audio / signal : Préamplificateurs et amplificateurs basse puissance

  • Montage en Darlington : Couples de transistors pour gain accru

  • Commutation générale : Circuits analogiques et numériques à haute vitesse

Expédition et livraison