2N2646 est un transistor à jonction unilatérale (UJT) à base de silicium, largement utilisé dans les applications de déclenchement, de temporisation et d’oscillateur. Réputé pour sa résistance négative stable et sa commutation rapide, il constitue un composant essentiel dans les circuits de contrôle industriels, les systèmes de déclenchement de SCR et la génération de formes d’onde. Il est caractérisé par une tension inverse émetteur de 30 V et une tension inter-base de 35 V, avec un courant efficace émetteur (RMS) de 50 mA et un courant crête impulsionnel pouvant atteindre 2 A
2N2646 est un transistor à jonction unilatérale (UJT) en silicium, sert principalement pour des fonctions de commutation et de déclenchement dans des circuits spécialisés. Contrairement aux BJT ou FET, ce composant est destiné à l’amplification la génération d’impulsions et la commande d’éléments de puissance. Grâce à cette propriété, il trouve des applications privilégiées dans les circuits de temporisation, oscillateurs relaxateurs et générateurs de déclenchement pour dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels que les SCR et TRIAC
Caractéristiques principales
Type : Transistor à jonction unilatérale en silicium (UJT)
Haute fiabilité : Performances éprouvées dans des applications industrielles
Région de résistance négative : Idéal pour les circuits oscillateurs et de temporisation
Faible consommation d’énergie : Parfait pour les systèmes sensibles à l’énergie
Large plage de températures : Fonctionne de –65 °C à +125 °C
Boîtier : Boîtier métallique TO-18 hermétiquement scellé pour une durabilité optimale
Spécifications techniques
Paramètre
Valeur
Tension inverse émetteur
30 V
Tension inter-base
35 V
Courant efficace émetteur (RMS)
50 mA
Courant crête émetteur (impulsion)
2 A
Dissipation de puissance
300 mW
Plage de température de fonctionnement
–65 °C à +125 °C
Rapport intrinsèque de blocage (η)
~0,56 à 0,75
Résistance inter-base
4,7 – 9,1 kΩ
Tension de saturation émetteur
~3,5 V (@50 mA)
Courant inter-base modulé
~15 mA
Courant de fuite émetteur
~0,005 μA (typique)
Courant de vallée
~6 mA
Boîtier
TO-18 (boîtier métallique)
Finition de surface
Passivée
Informations sur le boîtier et brochage
Le 2N2646 est généralement encapsulé dans un boîtier métallique TO-18, un format standard pour composants traversants (through-hole). Le brochage est le suivant :