2N2646 Transistor UJT

20,00 DH

2N2646 est un transistor à jonction unilatérale (UJT) à base de silicium, largement utilisé dans les applications de déclenchement, de temporisation et d’oscillateur. Réputé pour sa résistance négative stable et sa commutation rapide, il constitue un composant essentiel dans les circuits de contrôle industriels, les systèmes de déclenchement de SCR et la génération de formes d’onde. Il est caractérisé par une tension inverse émetteur de 30 V et une tension inter-base de 35 V, avec un courant efficace émetteur (RMS) de 50 mA et un courant crête impulsionnel pouvant atteindre 2 A

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UGS : TR_19_02 Catégorie :
Description

2N2646 Transistor UJT

2N2646 est un transistor à jonction unilatérale (UJT) en silicium, sert principalement pour des fonctions de commutation et de déclenchement dans des circuits spécialisés. Contrairement aux BJT ou FET, ce composant est destiné à l’amplification  la génération d’impulsions et la commande d’éléments de puissance. Grâce à cette propriété, il trouve des applications privilégiées dans les circuits de temporisation, oscillateurs relaxateurs et générateurs de déclenchement pour dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels que les SCR et TRIAC

Caractéristiques principales

  • Type : Transistor à jonction unilatérale en silicium (UJT)
  • Haute fiabilité : Performances éprouvées dans des applications industrielles
  • Région de résistance négative : Idéal pour les circuits oscillateurs et de temporisation
  • Faible consommation d’énergie : Parfait pour les systèmes sensibles à l’énergie
  • Large plage de températures : Fonctionne de –65 °C à +125 °C
  • Boîtier : Boîtier métallique TO-18 hermétiquement scellé pour une durabilité optimale

Spécifications techniques

Paramètre Valeur
Tension inverse émetteur 30 V
Tension inter-base 35 V
Courant efficace émetteur (RMS) 50 mA
Courant crête émetteur (impulsion) 2 A
Dissipation de puissance 300 mW
Plage de température de fonctionnement –65 °C à +125 °C
Rapport intrinsèque de blocage (η) ~0,56 à 0,75
Résistance inter-base 4,7 – 9,1 kΩ
Tension de saturation émetteur ~3,5 V (@50 mA)
Courant inter-base modulé ~15 mA
Courant de fuite émetteur ~0,005 μA (typique)
Courant de vallée ~6 mA
Boîtier TO-18 (boîtier métallique)
Finition de surface Passivée

Informations sur le boîtier et brochage

Le 2N2646 est généralement encapsulé dans un boîtier métallique TO-18, un format standard pour composants traversants (through-hole). Le brochage est le suivant :

  • Broche 1 : Émetteur (E)
  • Broche 2 : Base 1 (B1)
  • Broche 3 : Base 2 (B2)

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