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BS170 Transistor Mosfet à Canal N 60V 0.5A avec la technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce dispositif est optimisé pour minimiser la résistance à l’état passant, offrant ainsi des performances de commutation rapides et efficaces. Idéal pour des applications nécessitant jusqu’à 500 mA de courant continu, il convient également à des utilisations à basse tension et à faible courant comme les commandes de servomoteurs ou les pilotes de grille MOSFET de puissance. Sa fiabilité et son efficacité en font un choix pertinent pour toute application de commutation précise et rapide.
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Le BS170 est un transistor Mosfet à canal N produit à l’aide de la technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l’état passant tout en offrant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Il peut être utilisé dans la plupart des applications nécessitant jusqu’à 500 mA CC. Ce composant convient également aux applications à basse tension et à faible courant telles que la commande de petits servomoteurs, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d’autres applications de commutation.
Le BS170 est conçu pour les applications de commutation, telles que :
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