IRF630 Transistor Mosfet N-Channel 9A 200V

10,00 DH

Le transistor Mosfet IRF630 à Canal N, capable de supporter 9A et 200V, est idéal pour vos projets électroniques. Fabriqué par IOR International Rectifier, il offre une performance efficace pour diverses applications.

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UGS : P8C2-9060 Catégorie :
Description

IRF630 Transistor Mosfet à Canal N 9A 200V

Le IRF630 Transistor Mosfet à Canal N 9A 200V est un composant électronique fabriqué par IOR International Rectifier. Il est caractérisé par des performances élevées et une large gamme d’applications dans les systèmes de commutation et de gestion de l’énergie.

Spécifications techniques clés

Paramètre Valeur
Type de canal N
Courant continu (ID) 9A
Tension Drain-Source (VDS) 200V
Résistance à l’état passant (RDS(on)) 0.4Ω
Capacité de charge de grille (Qg) 45nC
Boîtier TO-220

Fonctions principales

  • Permet la commutation rapide et efficace des charges électriques.
  • Conçu pour les applications de puissance telles que les alimentations, les convertisseurs et les contrôleurs de moteurs.
  • Particulièrement adapté aux environnements à haute tension grâce à sa capacité de gestion de 200V.

Cas d’utilisation

Le IRF630 Transistor Mosfet à Canal N 9A 200V est souvent utilisé dans les domaines suivants :

  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Convertisseurs de puissance
  • Systèmes de commande de moteurs
  • Circuits de commutation à haute performance

Utilisation avec Arduino

Pour intégrer le IRF630 avec un Arduino, vous pouvez l’utiliser pour contrôler des charges élevées telles que des moteurs ou des éclairages. Voici comment configurer ce composant avec une carte Arduino et un exemple de code pour le contrôle basique :

Diagramme de connexion :

  • Drain (D) du IRF630 connecté à la charge positive.
  • Source (S) du IRF630 connecté à la masse (GND).
  • Gate (G) du IRF630 connecté à une broche de sortie numérique de l’Arduino (par exemple, D6).

Exemple de code Arduino :


const int gatePin = 6;

void setup() {
  pinMode(gatePin, OUTPUT);
}

void loop() {
  digitalWrite(gatePin, HIGH); // Activer le MOSFET
  delay(1000); // Attendre 1 seconde
  digitalWrite(gatePin, LOW); // Désactiver le MOSFET
  delay(1000); // Attendre 1 seconde
}
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