IRFP460 Transistor Mosfet N 20A 500V

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IRFP460 Transistor Mosfet de puissance à Canal N 20A 500V est idéal pour des applications nécessitant une haute puissance et une haute tension. Fabriqué par VISHAY SILICONIX, ce composant peut supporter un courant de 20A et une tension de 500V, avec une dissipation de puissance maximale de 280W. Grâce à son faible RDS(on) et sa capacité de décharge rapide, il offre une efficacité supérieure dans la gestion de puissance. Ses applications typiques incluent les convertisseurs de puissance, les moteurs et les systèmes de chauffage.

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UGS : CK161 Catégorie :
Description

IRFP460 Transistor Mosfet N 20A 500V

IRFP460 Transistor Mosfet N 20A 500V (IRFP460PBF) permet la gestion de haute puissance et de haute tension, destiné aux ingénieurs et aux amateurs de projets électroniques. Avec une capacité de 20A et une tension maximale de 500V, ce transistor offre une puissance de dissipation impressionnante de 280W.

Caractéristiques Techniques

  • Marque : VISHAY SILICONIX
  • Type : Transistor Mosfet de puissance à canal N
  • Courant drain-source (ID) : 20A
  • Tension drain-source (VDS) : 500V
  • Puissance dissipée (PD) : 280W
  • Résistance On-state (RDS(on)) : 0.27 ohm
  • Charge de porte totale (QG) : 180 nC
  • Boîtier : TO-247AC

Fonctions Principales

Le IRFP460 est principalement utilisé pour :

  • La commutation de haute tension et de haute puissance
  • Les applications d’inverseurs de courant
  • Les alimentations à découpage et les amplificateurs de puissance
  • La gestion de la puissance dans les appareils industriels

Cas d’Utilisation

Grâce à ses spécifications robustes, le IRFP460 est idéal pour les projets qui nécessitent un contrôle électronique de la puissance, tels que :

  • Les systèmes de conversion d’énergie
  • Les onduleurs pour panneaux solaires
  • Les variateurs de fréquence pour moteurs électriques

Résumé des Spécifications

Paramètre Valeur
Courant drain-source (ID) 20A
Tension drain-source (VDS) 500V
Puissance dissipée (PD) 280W
Résistance On-state (RDS(on)) 0.27 ohm
Charge de porte (QG) 180 nC

 

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