IRFP460 Transistor Mosfet N 20A 500V
IRFP460 Transistor Mosfet N 20A 500V (IRFP460PBF) permet la gestion de haute puissance et de haute tension, destiné aux ingénieurs et aux amateurs de projets électroniques. Avec une capacité de 20A et une tension maximale de 500V, ce transistor offre une puissance de dissipation impressionnante de 280W.
Caractéristiques Techniques
- Marque : VISHAY SILICONIX
- Type : Transistor Mosfet de puissance à canal N
- Courant drain-source (ID) : 20A
- Tension drain-source (VDS) : 500V
- Puissance dissipée (PD) : 280W
- Résistance On-state (RDS(on)) : 0.27 ohm
- Charge de porte totale (QG) : 180 nC
- Boîtier : TO-247AC
Fonctions Principales
Le IRFP460 est principalement utilisé pour :
- La commutation de haute tension et de haute puissance
- Les applications d’inverseurs de courant
- Les alimentations à découpage et les amplificateurs de puissance
- La gestion de la puissance dans les appareils industriels
Cas d’Utilisation
Grâce à ses spécifications robustes, le IRFP460 est idéal pour les projets qui nécessitent un contrôle électronique de la puissance, tels que :
- Les systèmes de conversion d’énergie
- Les onduleurs pour panneaux solaires
- Les variateurs de fréquence pour moteurs électriques
Résumé des Spécifications
| Paramètre |
Valeur |
| Courant drain-source (ID) |
20A |
| Tension drain-source (VDS) |
500V |
| Puissance dissipée (PD) |
280W |
| Résistance On-state (RDS(on)) |
0.27 ohm |
| Charge de porte (QG) |
180 nC |