2n3819 Transistors JFET RF:
Caractéristique:
- Catégorie du produit: Transistors JFET RF
- RoHS: Détails
- Type de transistor: JFET
- Technologie: Si
- Polarité du transistor: N-Channel
- Vds – Tension de rupture drain-source: 25 V
- Vgs – Tension de rupture grille-source: 25 V
- Id – Courant continu de fuite: 20 mA
- Pd – Dissipation d’énergie : 360 mW
- Style de montage: Through Hole
- Package/Boîte: TO-92-3
- Package/Boîte: TO-92-3
- Conditionnement: Bulk
- Configuration: Single
- Produit: RF JFET
- Série: 2N3819
- Type: JFET
