2n3819 Transistors JFET RF

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UGS : TR_13 Catégorie :
Description

2n3819 Transistors JFET RF:

Caractéristique:

  • Catégorie du produit: Transistors JFET RF
  • RoHS: Détails
  • Type de transistor: JFET
  • Technologie: Si
  • Polarité du transistor: N-Channel
  • Vds – Tension de rupture drain-source: 25 V
  • Vgs – Tension de rupture grille-source: 25 V
  • Id – Courant continu de fuite: 20 mA
  • Pd – Dissipation d’énergie : 360 mW
  • Style de montage: Through Hole
  • Package/Boîte: TO-92-3
  • Package/Boîte: TO-92-3
  • Conditionnement: Bulk
  • Configuration: Single
  • Produit: RF JFET
  • Série: 2N3819
  • Type: JFET

 

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