J113 Transistor JFET N-Channel Silicium TO-92

J113 Transistor à effet de champ en silicium à Canal N

Le J113 Transistor à effet de champ en silicium à Canal N est un composant électronique essentiel pour de nombreuses applications électroniques et électriques. Ce transistor JFET à canal N est reconnu pour ses performances et son efficacité dans divers circuits.

Caractéristiques techniques principales

• Type de transistor : JFET (Transistor à effet de champ à jonction)
• Matériau : Silicium
• Configuration du canal : Canal N
• Boîtier : TO-92
• Tension de drain-source (Vds) : 25V
• Courant de drain (Idss) : 2 mA à 20 mA
• Température de fonctionnement : -55°C à +150°C
• Résistance de drainage : 30 Ohms

Fonctions principales du J113 Transistor

Le J113 Transistor à effet de champ est principalement utilisé pour :

• Amplification de signal
• Commutation de circuits
• Génération d’oscillations
• Traitement de signaux analogiques
• Applications RF et radio

Cas d’utilisation

Grâce à ses caractéristiques techniques, le J113 Transistor peut être utilisé dans les domaines suivants :

• Circuits audio
• Récepteurs radio
• Équipements de communication
• Appareils de mesure
• Circuits de réglage automatique de gain (AGC)