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GT60M303 Transistor IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH)
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Garantie
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Dissipation de puissance maximale (mW) 170000
Tension de saturation type d’émetteur collecteur (V) 2.1
Courant collecteur maximal en continu (A) 60
Tension maximale d’émetteur collecteur (V) 900
Tension maximale d’émetteur de barrière (V) ±25
Type de canal N
Température de fonctionnement minimale (°C) -55
Température de fonctionnement maximale (°C) 150
Installation Through Hole
Package Height (mm) 26
Package Length (mm) 20.5(Max)
Package Width (mm) 5.2(Max)
PCB 3
Onglet Tab
Nom de l’emballage standard TO-3P
Paquet fournisseur TO-3P(LH)
Décompte de broches 3
Forme de sonde Through Hole
Taxonomie IGBT Transistors » IGBT Chip
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