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Le transistor MOSFET IRF520N est un dispositif électronique a une tension de la source de vidange Vds environ 100 V avec un courant de décharge continue de 9.7A , sa résistance Rds=0.20hm , ce transistor fonctionne avec une température max 175 ° C qu’il faut pas la dépasser car en risque à bruler le composant.
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Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de référence IRF520N est un composant électronique a une conception robuste et efficace , avec une tension de commande maximale ±20 V et une petite résistance de 0.20hm
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