RJH30E2 TRANSISTOR

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Description

(1) Collector to emitter voltage VCES: 360 V
(2) Gate to emitter voltage VGES: ±30 V
(3) Collector current IC: 30 A
(4 )Collector peak current ic(peak): 200 A
(5) Collector to emitter diode Forward peak current iDF(peak): 100 A
(6) Collector dissipation PC: 20 W
(7) Junction to case thermal impedance qj-c: 6.25 ‘CW
(8) Junction temperature Tj: 150 ‘C
(9) Storage temperature Tstg: –55 to +150’C.

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